Der Halbleiterkonzern Infineon errichtet in Villach eine Fertigung, die nach Angaben der Kleinen Zeitung weltweit als erste dieser Art auf Hochvolumen ausgelegt ist. Dort sollen Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser entstehen. Für das Vorhaben rechnet das Unternehmen mit rund 1,1 Milliarden Euro.
Bis 2034 fließt das Geld in bestehende Reinraumflächen am Standort Villach. Vorhandene und modernisierte Infrastruktur sollen gemeinsam genutzt werden, was einen effizienten und kostengünstigen Ausbau der Kapazitäten erlauben soll. Der Start der Produktion ist für Ende 2027 vorgesehen.
Bundeskanzler Christian Stocker und Wirtschaftsminister Wolfgang Hattmannsdorfer (beide ÖVP) gaben das Projekt und die Förderung gemeinsam bekannt.
Die Vorgeschichte reicht bis in den September 2024 zurück. Das Unternehmen sprach selbst von einem Meilenstein, der in der Power-Fab in Villach erreicht wurde.
Die 300-Millimeter-GaN-Wafer entstehen auf einer integrierten Pilotlinie innerhalb der bestehenden Siliziumproduktion mit 300 Millimetern. Dabei greift Infineon auf die Erfahrung aus der Fertigung von Silizium auf 300 Millimetern und von GaN auf 200 Millimetern zurück.
GaN-Chips kommen vor allem in der Automobilindustrie zum Einsatz, etwa in Elektroautos. Weitere Einsatzfelder sind Solaranlagen, Netzteile und Ladeinfrastruktur. Auch in Industrie, Konsumelektronik sowie Rechen- und Kommunikationsanwendungen soll sich die Technik rasch verbreiten.
Die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer will Infineon im November 2024 auf der Branchenmesse electronica in München präsentieren. Moderne Fertigungsverfahren steigern die Leistung der Bauelemente. Das ermögliche höhere Effizienz, geringere Größe und geringeres Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten für die Endkunden.
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